Resistor ตัวต้านทาน

Resistor ตัวต้านทาน

ตัวต้านทาน(Resistor)
ตัวต้านทานเป็นตัวที่ทําหน้าที่จํากัดกระแสไฟฟ้าที่ไหลในวงจรตามทีได้กําหนดเอาไว้ซึ่งจะมี
สัญลักษณ์ที่ใช้เป็น ( R ) และค่าความต้านทานมีหน่วยวัดทางไฟฟ้าเป็น ( )
ชนิดของตัวต้านทาน
ตัวต้านทานที่ใช้ในงานอิเล็กทรอนิกส์สามารถแบ่งออกเป็น 2 ชนิด ได้แก่ ตัวต้านทานชนิดค่าคงที่ (
Fixed Value Resistor ) และตัวต้านทานชนิดปรับค่าได้ ( Variable Value Resistor ) ซึ่งตัวต้านทานค่าคงที่นี้
จะมีค่าความต้านทานที่แน่นอน และเป็นค่าที่นิยมมากในงานด้านอิเล็กทรอนิกส์

สําหรับตัวต้านทานชนิดปรับค่าได้นั้น จะสามารถเลือกค่าความต้านทานที่ต้องการได้โดยการหมุนที่
ปุ่มปรับค่าความต้านทาน

                                              สัญลักษณ์ของตัวต้านทาน
ตัวต้านทานชนิดค่าคงที่แบ่งได้ดังนี้
ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม ( Carbon Composition Resistor)
ตัวต้านทานชนิดนี้จะนิยมใช้กันอย่างแพร่หลายซึ่งจะมีราคาถูก โครงสร้างภายในทําจากวัสดุซึ่งมี
คุณสมบัติเป็นตัวต้านทาน โดยที่ปลายทั้งสองข้างจะต่อลวดตัวนําออกมาและบริเวณผิวด้านนอกจะฉาบด้วย
ฉนวน มีรูปร่างเป็นทรงกระบอก

ขนาดของตัวต้านทานจะแสดงถึงกําลังงาน ซึ่งอยู่ในรูปของความร้อนที่สามารถแพร่กระจายออกมา
ได้ ความต้านทานทําหน้าที่จํากัดการไหลของกระแสไฟฟ้าหรืออิเล็กตรอน ดังนั้นสภาวะของการต้านทาน
หรือขัดขวางการไหลของกระแสไฟฟ้านี้จึงเป็นสาเหตุทําให้เกิดความร้อนขึ้น โดยปริมาณความร้อนที่
แพร่กระจายออกมาเมื่อเปรียนเทียบกับหน่วยเวลาจะมีหน่วยเป็น วัตต์ (Watts) และตัวต้านทานแต่ละตัวจะมี
ค่า อัตราทนกําลัง (Wattage Rating) เฉพาะที่แตกต่างกันออกไป โดยตัวต้านทานขนาดใหญ่จะสามารถที่จะ
แพร่กระจายความร้อนได้ดีกว่า เช่น ตัวต้านทานขนาดใหญ่มีอัตราการแพร่กระจายความร้อน 2 วัตต์ ในขณะ
ที่ความต้านทานตัวเล็กสามารถกระจายความร้อนในอัตราแค่ 1/8 วัตต์

ค่าความเคลื่อน เป็นปัจจัยที่จะต้องพิจารณาอีกประการหนึ่งที่จะต้องพิจารณา ซึ่งค่าความคลาดเคลื่อน
นี้เป็นปริมาณความผิดพลาดของค่าความต้านทานที่แตกต่างกันออกไปจากค่าที่กําหนดไว้ เช่น ค่าความ
ต้านทาน 1000 โอห์ม มีค่าความคลาดเคลื่อน 10 % ดังนั้นค่าความต้านทานที่วัดได้จะอยู่ระหว่าง 900 โอห์ม
และ 1100 โอห์ม
ตัวต้านทานชนิดฟิล์มคาร์บอน ( Carbon Film Resistor )
ตัวต้านทานชนิดนี้ถูกสร้างโดยการเคลือบแผ่นฟิล์มคาร์บอนที่มีคุณสมบัติของค่าความต้านทานลงบน
แกนเซรามิค ซึ่งทําหน้าที่เป็นฉนวน หลังจากนั้นให้ทําการตัดแต่งฟิล์มคาร์บอนที่ได้ให้เป็นรูปวงแหวนรอบ
แกนเซรามิค โดยถ้ามีอัตราส่วนของเนื้อคาร์บอนมีปริมาณมากกว่าฉนวนจะทําให้ค่าความต้านทานที่ได้มีค่า
ต่ํา แต่ถ้าฉนวนมีอัตราส่วนมากกว่าเนื้อของคาร์บอน ความต้านทานที่ได้ก็จะมีค่าสูง ตัวต้านทานแบบฟิล์ม
คาร์บอนจะมีค่าความคลาดเคลื่อนต่ํา และสามารถทนต่อการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิสูงได้ โดยไม่ทําให้ค่า
ความต้านทานเปลี่ยนแปลงไป นอกจากนั้นสัญญาณรบกวนที่เกิดจากการใช้ตัวต้านทานชนิดนี้ก็มีค่าน้อย
กว่า เมื่อเปรียบเทียบกับตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม

ตัวต้านทานชนิดฟิล์มโลหะ ( Metal Film Resistor)
ตัวต้านทานชนิดฟิล์มโลหะมีรูปร่างลักษณะ การสร้างทําได้โดยการพันฟิล์มโลหะใหัเป็นแผ่นบางๆ ลง
บนเซรามิครูปทรงกระบอก จากนั้นจึงตัดแผ่นฟิล์มนี้โดยให้มีส่วนที่เป็นแผ่นฟิล์มคั่นอยู่กับฉนวนซึ่งเป็น
เซรามิค ตัวต้านทานชนิดฟิล์มโลหะนี้จะมีค่าความคลาดเคลื่อนน้อยมาก และยังทนต่อการเปลี่ยนแปลง
อุณหภูมิภายนอกได้ดี นอกจากนี้ยังเกิดสัญญาณรบกวนได้น้อยเมื่อเทียบกับตัวต้านทานคาร์บอนชนิดอื่นๆ

ตัวต้านทานชนิดไวร์วาว์ด ( Wire wound Resistor )
โครงสร้างภายในของตัวต้านทานชนิดนี้เกิดจากพันขดลวดรอบๆ แกนเซรามิค ซึ่งทําหน้าที่เป็นฉนวน
จากนั้นจึงต่อเข้าด้วยลวดตัวนําจากส่วนหัวและท้ายออกมา สําหรับค่าความต้านทานสามารถเปลี่ยนแปลง
ได้โดยขึ้นอยู่กับความยาวและขนาดของขดลวดที่ใช้พัน
ตัวต้านทานแบบไวร์วาวด์ ส่วนมากนิยมใช้ในงานที่ต้องการค่าความต้านทานต่ําๆ ทั้งนี้เพื่อให้กระแส
ไหลผ่านได้ดี ดังนั้นการออกแบบจึงควรให้มีขนาดใหญ่เพื่อช่วยให้สามารถกระจายความร้อนได้มากกว่า ตัว
ต้านทานแบบไวร์วาวด์นี้จะมีค่าความคลาดเคลื่อนประมาณ 1 % แต่ด้วยโครงสร้างที่ใหญ่และขั้นตอนการ
ผลิตที่ยุ่งยากจึงทําให้ตัวต้านทานชนิดนี้มีราคาแพง

ตัวต้านทานชนิดออกไซด์ของโลหะ ( Metal Oxide Resistor)
ตัวต้านทานชนิดนี้มีโครงสร้างตัวต้านทานที่เคลือบด้วยออกไซด์โลหะ ประเภทดีบุกลงบนวัสดุที่ใช้เป็นฉนวน

โดยอัตราส่วนของออกไซด์โลหะมีคุณสมบัติเป็นตัวนําต่อฉนวน จะเป็นตัวกําหนดค่าความ
ต้านทานให้กับตัวต้านทานชนิดนี้ คุณสมบัติพิเศษสําหรับตัวต้านทานชนิดออกไซด์ของโลหะ คือ สามารถ
ทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิได้

ตัวต้านทานชนิดแผ่นฟิล์มหนา ( Thick - Film Resistor )

ตัวต้านทานแบบฟิล์มหนามีอยู่ 2 แบบ คือ แบบ SIP (Single in - line Package ) และ DIP ( Dual in -
Line Package ) ตัวต้านทานแบบ SIP จะต่อลวดตัวนําออกจากความต้านทานภายในเพียงแถวเดียว ส่วนตัว
ต้านทานแบบ DIP จะมีลวดตัวนํา 2 แถว ต่อออกมาภายนอก ซึ่งตัวต้านทานแบบฟิล์มหนาทั้งสองแบบจะ
ได้รับการปรับแต่งให้ค่าความคลาดเคลื่อนประมาณ 2% โดยค่าความต้านทานที่ใช้ในงานทั่วไปของตัว
ต้านทานชนิดนี้อยู่ระหว่าง 22 โอห์ม ถึง 2.2 เมกะโอห์ม และมีอัตราทนกําลัง ประมาณ 1/2วัตต์

ตัวต้านทานชนิดปรับค่าได้ ( Variable Value Resistor )
การปรับปุ่มควบคุมระดับความดัง หรือ วอลลุม ( Volume ) ซึ่งอุปกรณ์ดังกล่าวนี้เป็นตัวอย่างของตัว
ต้านทานชนิดปรับค่าได้ประเภทหนึ่ง
ตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนค่าได้โดยอาศัยกลไก ตัวต้านทานชนิดนี้เปลี่ยนค่าได้โดยอาศัยกลไกมีอยู่ 2 แบบ
ได้แก่

- รีโอสตัส ( Rheostat )
- โพเทนชิโอมิเตอร์ ( Potentiometer )

รีโอสตัส ( 2 ขั้ว : A และ B )
รูปลักษณะของรีโอสตัสแบบต่างๆ ดังรูป ก ส่วนสัญลักษณ์ของรีโอสตัส ดังแสดงในรูป ข ส่วนรูป ค
จะแสดงโครงสร้างภายในของรีโอสตัสแบบวงกลม ซึ่งจะเห็นว่าปลายอีกด้านหนึ่งของผิวสัมผัส เมื่อคันกรีด
เคลื่อนที่ออกห่างไปจากบริเวณส่วนที่ขั้วต่ออยู่ จะทําให้ความต้านทานเพิ่มขึ้น ซึ่งจะแสดงตามรูป ง ซึ่งคัน
กรีดจะเคลื่อนที่ต่ําลงโดยการหมุนแกนตามเข็มนาฬิกา
ด้วยเหตุนี้กระแสไฟฟ้าจึงไหลผ่านได้น้อยเนื่องจากค่าความต้านทานที่มีค่ามาก ในทางกลับกันถ้าคันกรีด
เคลื่อนที่เข้าใกล้ส่วนปลายที่มีขั้วต่ออยู่จะทําให้ค่าความต้านทานลดลง ดังแสดงในรูป จ ซึ่งคันกรีดจะ
เคลื่อนที่ขึ้นโดยการหมุนแกนทวนเข็มนาฬิกาและกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านรีโอสตัสในกรณีนี้จะมีค่ามาก
เนื่องจากค่าความต้านทานที่ลดลงนั่นเอง
เทนชิโอมิเตอร์ ( 3 ขั้ว : A,B และ C )
รูปแสดงลักษณะภายนอกของโพเทนชิโอมิเตอร์แบบต่างๆ ซึ่งบางครั้งนิยมเรียกอุปกรณ์ชนิดนี้ว่า พอต
(Pot) ดังแสดงในรูป ข ความแตกต่างระหว่างโพเทนชิโอมิเตอร์และรีโอสตัส คือจํานวนขั้วต่อใช้งาน ซึ่ง
ขั้วต่อของโพเทนชิโอมิเตอร์จะมี 3 ขั้ว โดยการนําไปใช์งานสามารถต่อค่าความต้านทานได้ 3 แบบ ได้แก่

ระหว่าง A และ B (X) ระหว่าง B และ C (Y) และระหว่าง C และ A (Z) ส่วนที่เพิ่มเข้ามาที่ทําให้โพเทนชิโอ
มิเตอร์แตกต่างไปจากรีโอสตัส คือ ขั้วที่ 3 ที่ต่อเข้ากับปลายอีกด้านหนึ่งของแถบค่าความต้านทาน

                                             ตัวต้านทานแบบพิเศษ

ตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนค่าโดยใช้ความร้อน

จากการที่ได้รู้จักกับตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนค่าได้แบบรีโอสตัส และแบบโพเทนชิโอมิเตอร์ไปแล้ว ซึ่ง
ทั้งสองแบบจะเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานโดยอาศัยกลไกเพื่อหมุนแกนที่เชื่อมกับคันกรีด เพื่อไป
เปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานภายใน แต่ยังมีอุปกรณ์อีกชนิดหนึ่งที่สามารถเปลี่ยนค่าความต้านทานได้โดย
อาศัยหลักการให้พลังงานความร้อนแทนซึ่งอุปกรณ์ชนิดนี้มีชื่อว่า เทอมิสเตอร์ (Thermister) แบ่งออกเป็น 2
ประเภทคือ
1. Positive temperrature control thremister (PCT) ถ้าอุณหภูมิสูงขึ้นค่าความต้านทานเทอมิสเตอร์ จะเพิ่มขึ้น
ตามด้วย ถ้าอุณหภูมิต่ําค่าความต้านทานเทอมิสเตอร์ จะลดตามด้วย
2. Negative temperrature control thremister (PCT) ถ้าอุณหภูมิสูงขึ้นค่าความต้านทาน
เทอมิสเตอร์ จะลดลง ถ้าอุณหภูมิต่ําค่าความต้านทานเทอมิสเตอร์ จะเพิ่มขึ้น

                           สัญลักษณ์ของเทอมิตเตอร์

ตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนค่าได้โดยใช้แสง
อุปกรณ์โฟโตริซิสเตอร์ ( Photoresistor ) มีชื่อเรียกอีกอย่างหนึ่งว่า Light - Dependent Resistor ( LDR )
ซึ่งเป็นตัวต้านทานที่ทํางานโดยอาศัยแสงที่มาตกกระทบ นั่นคือ วัสดุที่ใช้ทําโฟโตริซิสเตอร์ เมื่อถูกแสงจะมี
ค่าความนํามากขึ้น หรือทําให้ค่าความต้านทานลดลงนั่นเอง โฟโตริซิสเตอร์สร้างจากวัสดุนําแสงที่มี
ลักษณะเป็นแผ่นบางๆ ซึ่งค่าความต้านทานของวัสดุนี้ลดลงเมื่อมีแสงมาตกกระทบ โดยพลังงานแสงจะถูก
ดูดซึมจากอะตอมที่มีอยู่มากมายในวัสดุนําแสงนี้และทําให้เกิดการปลดปล่อยอิเล็กตรอนที่อยู่วงนอกสุด (
Valence Electron ) ออกมา ด้วยเหตุผลของจํานวนอิเล็กตรอนอิสระมากขึ้น จึงทําให้กระแสไฟฟ้าสามารถ
ไหลผ่านโฟโตริซิสเตอร์ได้มาก ดังนั้นจึงทําให้ความต้านทานมีค่าลดลงด้วย
การนําอุปกรณ์โฟโตริซิสเตอร์ไปใช้งาน เช่น การนําไปใช้ในอุปกรณ์ปิดเปิด ไฟส่องสว่างภายนอกอาคาร
โดยใช้เวลาช่วงกลางวัน แสงสว่างจากดวงอาทิตย์จะทําให้ค่าความต้านทานของโฟโตริซิสเตอร์ไปลดลง
และค่าความต้านทานที่ลดลงนี้จะถูกนําไปใช้ในการปิดไฟส่องสว่าง ส่วนในช่วงเวลากลางคืนค่าความ
ต้านทานของโฟโตริซิสเตอร์จะเพิ่มขึ้น ไฟส่องสว่างจะเปิดอีกครั้ง

กําลังไฟฟ้า
กําลังไฟฟ้าในตัวต้านทานเกิดขึ้นเมื่อมีกระแสไหลผ่านตัวต้านทาน โดยกําลังไฟฟ้านี้จะมีหน่วย
เป็น วัตต์ (Watt) ซึ่งตัวต้านทาน ที่มีใช้กันก็มีขนาดตั้งแต่ 1/8 วัตต์ ไปจนถึงหลายร้อยวัตต์ ถ้าเราใช้ตัว
ต้านทานที่มีกําลังไฟฟ้าต่ํากว่ากําลังไฟฟ้าที่เกิดขึ้นจริงในวงจร ก็อาจจะทําให้ตัวต้านทานร้อนจนอาจะ
ไหม้ได้ แต่ในวงจรบางแบบก็ต้องการให้ความร้อนนี้เกิดขึ้นมา เช่น ในอุปกรณ์ทําความ ร้อนฮีทเตอร์(heater) ตัวกําเนิดความร้อนก็คือ ตัวต้านทานที่กําลังสูง ซึ่งทํามาจากลวดนิโครม กําลังไฟฟ้านี้จะเกิด
จาก เมื่อมีกระแสไฟฟ้าผ่านเส้นลวด แต่ในวงจรวิทยุความร้อนที่เกิดจากตัวต้านทานนั้นไม่ดี
เพราะฉะนั้น วงจรก็ต้องมีการเลือกตัวต้านทานให้มีอัตราทน กําลังไฟฟ้าให้เหมาะสมกับวงจร ในรูปที่
3 เป็นรูปของตัวต้านทานขนาดต่างๆ ที่สามารถพบได้ทั่วไป

เราจะรู้ค่าความต้านทานได้อย่างไร
ตัวต้านทานโดยทั่วไปจะมีการบอกค่าความต้านทานไว้เป็นแถบสี ซึ่งจะมีวิธีอ่านแถบสีดังในรูปที่
4 และในรูปที่ 5 เป็นตัวอย่าง ของค่าความต้านทานที่เราสามารถอ่านค่าได้ เป็นค่าตัวต้านทานมาตรฐาน
ที่มีขายอยู่ทั่วไป

การแสดงการอ่านค่าสีของตัวต้านทานแบบค่าคงที่โดยอ่านเรียงสีจากซ้ายไปขวา

เป็นตัวอย่างการอ่านค่าความต้านทานโดยอ่านจากซ้ายไปขวา

การต่อตัวต้านทานแบบต่าง ๆ
การต่อตัวต้านทานในวงจร สามารถทําได้ 2 แบบ ได้แก่ คือ การต่อแบบอันดับหรือ (แบบอนุกรม)
และการต่อขนาน
การต่อตัวต้านทานแบบอันดับหรืออนุกรม(Series)
ค่าความต้านทานรวมที่เกิดจากนําตัวต้านทานมาต่อกันแบบอันดับจะมีค่าเท่ากับผลรวมของ ค่า
ความต้านทานของตัวต้านทานทุกตัวรวมกัน สูตรที่ใช้ในการคํานวณหาค่าความต้านทานที่ต่อกันแบบ
อันดับ

ตัวอย่าง
จากวงจรในรูป จงคํานวณหาค่าความต้านทานรวม

ไดโอด diode

ไดโอด diode

ไดโอด (diode)
ไดโอดเป็นส่วนสําคัญส่นหนึ่งของวงจรอิเลคทรอนิคส์ทั่วไปในสมัยก่อนไดโอดมักจะเป็นแบบหลอดสุญญากาศปัจจุบันความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีเป็นไปอย่างรวดเร็วทําให้สิ่งประดิษฐ์ชนิดใหม่ ซึ่งทําด้วยสารกึ่งตัวนําได้เข้ามาแทนที่หลอดสุญญากาศไดโอดที่ทํามาจากสารกึ่งตัวนํามีสองขั้วและมีขนาดเล็กใช้งานได้ง่าย
ชนิดของไดโอด
ไดโอดที่ทําจากสารกึ่งตัวนําแบ่งได้ตามชนิดของเนื้อสารที่ใช้ เช่นเป็นชนิดเยอรมันเนียมหรือเป็นชนิดซิลิกอนนอกจากนี้ไดโอดยังแบ่งตามลักษณะตามกรรมวิธีที่ผลิตคือ1. ไดโอดชนิดจุดสัมผัส (Point-contact diode) ไดโอดชนิดนี้เกิดจากการนําสารเยอรมันเนียมชนิด N
มาแล้วอัดสายเล็กๆซึ่งเป็นลวดพลาตินั่ม(Platinum) เส้นหนึ่งเข้าไปเรียกว่าหนวดแมวจากนั้นจึงให้กระแสค่าสูงๆไหลผ่านรอยต่อระหว่างสายและผลึกจะทําให้เกิดสารชนิดP ขึ้นรอบ ๆ รอยสัมผัสในผลึก
เยอรมันเนียมดังรูป

                      ไดโอดชนิดจุดสัมผัส
2. ไดโอดชนิดหัวต่อ P-N (P-N junction diode) เป็นไดโอดที่สร้างขึ้นจากการนําสารกึ่งตัวนําชนิด N
มาแล้วแพร่อนุภาคอะตอมของสารบางชนิดเข้าไปในเนื้อสาร P ขึ้นบางส่วน แล้วจึงต่อขั้วออกใช้งาน
ไดโอดชนิดนี้มีบทบาทในวงจรอิเลคทรอนิคส์ และมีที่ใช้งานกันอย่างแพร่หลาย

 ไดโอดชนิดหัวต่อ P-N
คุณสมบัติของไดโอด

ไดโอดที่ใช้ในวงจรมีสัญลักษณ์ เป็นรูปลูกศรมีขีดขวางไว้ดังรูป
ตัวลูกศรเป็นสัญลักษณ์แทนสารกึ่งตัวนําชนิด P ซึ่งเป็นขั้วอาโนด (ขั้วบวก) ของไดโอด
ลูกศรจะชี้ในทิศทางที่โฮลเคลื่อนทิศส่วนขีดคั่นเป็นสารกึ่งตัวนําชนิด N ซึ่งเป็นขั้วคาโถด (ขั้วลบ)
ดังนั้นเราจะสามารถพิจารณาว่า ไดโอดถูกไบแอสตรงหรือไบแอสกลับได้ง่าย ๆ โดยพิจารณาดูว่า
ถ้าขั้วอาโนดมีศักดาไฟฟ้าเป็นบวกมากกว่าราคาโถดแล้ว ไดโอดจะถูกไบแอสตรง ถ้าขั้วอาโนดมี
ศักดาไฟฟ้าเป็นบวกน้อยกว่า คาโถดก็แสดงว่าไดโอดถูกไบแอสกลับ

ไบแอสตรง	ไบแอสกลับ
1. มีกระแสไหลผ่านไดโอด	1. มีกระแสไหลผ่านไดโอด
2. ถือว่าไดโอดมีความต้านทานน้อยมาก	2. ถือว่าไดโอดมีความต้านทานสูงมาก
3. โดยทั่วไปถือว่าไดโอดลัดวงจร	3. โดยทั่วไปถือว่าไดโอดเป็ดวงจร

เปรียบเทียบลักษณะสมบัติของไดโอดเมื่อไบแอสตรงและไบแอสกลับ

ลักษณะสมบัติของไดโอดอุดมคติ
 ความต้านทานของตัวไดโอด
เนื่องจากความต้านทานของตัวไดโอด ขึ้นอยู่กับทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้า ดังนั้นจึง
ถือว่า สิ่งประดิษฐ์ ไดโอดมีคุณสมบัติไม่เป็นเชิงเส้น ลักษณะ : สมบัติระหว่างแรงดันและกระแสจะ
เป็นตัวแสดงให้เห็นความสัมพันธ์ของกระแสที่ไหลผ่านตัวไดโอด (ID) กับค่าแรงดันที่ตกคร่อมตัว
ไดโอด (VD) ทั้งในทิศทางไบแอสตรง และไบแอสกลับดังรูป

ลักษณะ สมบัติทางด้านไบแอสตรงจะเริ่มมีกระแสไหลผ่านไดโอดเมื่อใส่แรงดันแก่ไดโอด
ด้วยค่า ๆ หนึ่งแรงดันนี้คือค่าแรงดันที่เราเรียกว่า แรงดันคัทอิน (cut in voltage) ของไดโอด

กราฟลักษณะสัมบัติระหว่างแรงดันและกระแสของวงจรไบแอส
เนื่องจากไดโอดชนิดหัวต่อ P-N แบ่งเป็น 2 ชนิดคือชนิดซิลิกอนและชนิดเยอรมันเนียม
ดังนั้นลักษณะสมบัติทางแรงดันและกระแสของไดโอดทั้งสองชนิด จะเห็นได้ชัดดังในรูป

 แรงดันคร่อมตัวไดโอดด้านไบแอสตรง
ค่ากระแสอิ่มตัวย้อนกลับสําหรับซิลิกอนไดโอดกับของเยอรมันเนียมไดโอดยังมีค่าไม่เท่ากันด้วยซิลิกอนไดโอดมีค่ากระแสอิ่มตัวน้อยกว่าของเยอรมันเนียมไดโอดประมาณ 1000 เท่า
สําหรับค่าแรงดันคัทอินทั้งของซิลิกอนและเยอรมันเนียมจะมีค่าไม่เท่ากัน ค่าแรงดันคัทอิน
ของซิลิกอนไดโอดมีค่าประมาณ 0.6 โวลท์ ส่วนของเยอรมันเนียมไดโอดมีค่าประมาณ 0.2 โวลท์
คุณลักษณะสมบัติระหว่างแรงดันและกระแสของไดโอด
ความต้านทานในตัวไดโอดพอที่จะแบ่งออกตามชนิดของแรงดันที่ให้กับตัวไดโอด ซึ่งแยก
ออกเปนความต้านทานทางไฟตรงหรือทางสรรคติกและความต้านทานไฟสลับ
ความต้านทานทางไฟตรง (static resistance)
จากลักษณะสมบัติแรงดันและกระแสของไดโอดจะไม่เป็นลักษณะเชิงเส้น ดังนั้นความต้านทานใน
ตัวไดโอดจึงไม่คงที่ จากกฎของโอห์มจะได้ความต้านทานทางไฟตรง ที่จะงดทํางานขณะไม่มีสัญญาณอื่น
ใดเข้ามาเป็น

แสดงค่าความต้านทานในไดโอดทางไฟตรง
ความต้านทานทางไฟสลับ (dynamic resistance) เมื่อไดโอดทํางานในขณะที่มีค่าสัญญาณ
แรงดันไฟสลับขนาดเล็ก ๆ ป้อนเข้ามาค่าความต้านทานที่เกิดขึ้นที่ไดโอดจะเกิดการเปลี่ยนแปลงตลอดเวลา
ค่าความต้านทานนี้จะแตกต่างจากความต้านทานทางไฟตรงเราเรียกค่าความต้านทานนี้ว่า ความต้านทาน
ทางไฟสลับการหาค่าความต้านทานทางไฟสลับหาค่าได้จากค่าอัตราส่วนการเปลี่ยนแปลงของแรงดันคร่อม
ตัวไดโอดที่เปลี่ยนไปกับค่าการเปลี่ยนแปลงของกระแสที่ไหลในตัวไดโอด เนื่องจากการทํางานของไดโอด
เมื่อมีสัญญาณเข้ามา ณ จุดที่ไดโอดทํางานก็จะมีค่าไม่คงที่ไม่แน่นอน เกิดการเปลี่ยนแปลงตามลักษณะ
สมบัติ แต่เมื่อคิดการเปลี่ยนแปลงกระแสไบแอสตรงค่าเล็ก ๆ ของกระแสและแรงดันแล้วจะสามารถหาค่า
ความต้านทานทางไดนามิคหรือความต้านทานต่อไฟสลับได้ดังรูป

แสดงการหาความต้านทานทางไฟสลับ
การหาค่าความต้านทานนี้อาจทําได้โดยการใช้สูตร Rac เท่ากับ
= ช่วงการเปลี่ยนแปลงของแรงดันคร่อมไดโอด
ช่วงการเปลี่ยนแปลงของกระแสที่ไหลผ่านไดโอด
ผลกระทบของอุณหภูมิ (Temperature Effects)
จากการทดลองพบว่า Is ของ Si จะมีค่าเพิ่มขึ้นเกือบ 2 เท่า ทุกๆ ครั้งที่อุณหภูมิเพิ่มขึ้น 10 องศา
เซลเซียส ขณะที่ Ge ม ีค่า Is เป็น 1 หรือ 2 micro-amp ที่ 25 องศาเซลเซียส แต่ที่ 100 องศาเซลเซียส
จะมีค่า Is เพิ่มขึ้นเป็น 100 micro-amp ระดับกระแสไฟฟ้าขนาดนี้จะเป็นปัญหาต่อการเปิดวงจรเรื่อง
จากได้รับการไบอัสกลับ เพราะแทนที่ Id จะมีค่าใกล้เคียงศูนย์ แต่กลับนํากระแสได้จํานวนหนึ่ง
ตามอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น

ซีเนอร์ไดโอด (Zener diode) ไดโอดธรรมดาเมื่อทําการไบรแอสกลับจนถึงค่าแรงดันพังจะ
ทําให้เกิดการเสียหายได้ ซีเนอร์ไดเอดเป็นซิลิกอนไดโอดชนิดพิเศษที่กระแสย้อนกลับสามารถไหล
เฉลี่ยทั่วพื้นที่รอยต่อของไดโอด จึงสามารถทนกระแสย้อนกลับได้สูงมาก ดังนั้นซีเนอร์ไดโอดจึง
สามารถใช้ควบคุมแรงดันโดยใช้แรงดันที่ตกคร่อมตัวมันเองเป็นตัวควบคุมสัญลักษณ์ของตัวซี
เนอร์ไดโอดเขียนได้ดังรูป

 สัญญลักษณ์ของซีเนอร์ไดโอด
ซีเนอร์ไดโอดทางอุดมคติจะควบคุมแรงดันได้ต่อเมื่อถูกไบแอสกลับกล่าวคือ จะมีกระแส
ไหลผ่านไดโอดได้ดีต่อเมื่อไบแอสกลับจนถึงค่าแรงดันซีเนอร์เท่านั้น สําหรับกรณีไบแอสตรงซี
เนอร์ไดโอดจะทําหน้าที่เหมือนไดโอดธรรมดาคือเสมือนเป็นตัวลัดวงจร

ลักษณะสมบัติของซีเนอร์ไดโอดทางอุดมคติ ลักษณะสมบัติของซีเนอร์ไดโอดจริง ๆ

ตัวเก็บประจุ,คาปาซิเตอร์ (Capacitor)

ตัวเก็บประจุ,คาปาซิเตอร์ (Capacitor)

ตัวเก็บประจุ,คาปาซิเตอร์ (Capacitor)
ตัวเก็บประจุ , คาปาซิเตอร์ (Capacitor) หรือ ตัว C ที่เรานิยมเรียกกัน ตัวเก็บประจุจะทําหน้าที่เก็บ
ประจุไฟฟ้าและคายประจุไฟฟ้า โดยจะว่าไปแล้วตัวเก็บประจุทําหน้าที่คล้ายกับแบตเตอรี่ แต่จะเก็บ
กระแสไฟฟ้า ได้น้อยกว่าและจะจ่ายกระแสไฟฟ้าไฟฟ้าได้เร็ว กว่า
โดยตามโครงสร้างแล้วตัวเก็บประจุจะประกอบด้วยแผ่นตัวนําวางประกบกันโดยเว้นระยะห่างของ
แผ่นตัวนําโดยภายในจะมีสารไดอิเล็กตริกอยู่ เราจึงนิยมมักเห็นตัวเก็บประจุอยู่ในวงจร
อิเล็กทรอนิกส์เสมอ นอกจากเราจะใช้ตัวเก็บประจุ เก็บและคายประจุให้วงจรอิเล็กทรอนิกส์แล้วเรา
ยังใช้ตัวเก็บประจุ ในวงจรกรองความถี่ได้อีกด้วย หน่วยของตัวเก็บประจุเรียก ว่า F (ฟารัส)
10uF(10ไมโครฟารัส) 0.01uF (0.01ไมโครฟารัส) เป็นต้น ซึ่งการอ่านค่าและ การแปลงหน่วยจะ
กล่าวถึงในส่วนต่อไป

ชนิดของตัวเก็บประจุ
ตัวเก็บประจุเองนั้นสามารถแบ่งออกได้หลายชนิดเช่น แบ่งตามการใช้งานตามขั้วไฟฟ้าจะมีตัวเก็บ
ประจุแบบมีขั้ว ( คือต้องต่อให้ถูกขั้วจึงจะทํางาน) และตัวเก็บประจุไม่มีขั้ว(จะต่อแบบใดก็ได้)
หรือจะแบ่งตามชนิดโครงสร้างก็สามารถแบ่งออกได้หลายแบบ เช่น ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอไลท์ ตัว
เก็บประจุเซรามิค ตัวเก็บประจุแทนทาลั่ม ตัวเก็บประจุโพลีเอสเตอร์ เป็นต้น
หรือแบ่งตามการเปลี่ยนแปลงค่า สามารถแบ่งเป็นตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่ ตัวเก็บประจุเปลี่ยนค่า
ได้(พบมากในเครื่องรับวิทยุ) และตัวเก็บประจุที่เลือกค่าได้(มีหลายตัวอยู่ในตัวเดียวกัน นอกจากนี้
ยังมีอีกมากมายแต่ในที่นี้จะขอยกตัวอย่างรูปร่างและการใช้งานพื้นฐานของตัวเก็บประจุที่เรามักจะ
พบเห็นเสมอในวงจรอิเล็กทรอนิกส์
ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอไลท์
ตัวเก็บประจุชนิดนี้จะมีค่าความจุอยู่ในช่วง1 uF -
30,000 uFขึ้นไป และมีการใช้งานที่ แรงดัน ตามที่ระอยู่บนตัวมันอยู่แล้วเช่น 10V , 16V , 25V
,50V 100V เรานิยมใช้ตัวเก็บประจุชนิดนี้ในวงจรทั่วไป ตัวเก็บประจุ ชนิดนี้มีใช้ทั้งแบบมีขั้ว และ
ไม่มีขั้วค่าความจุ และแรงดันใช้งาน จะพิมพ์ตัวเก็บประจุเลย และจะมีแถบสีขาวด้านข้างซึ่งจะ
แสดง ตําแหน่งขาลบ(-) ของตัวเก็บประจุ
ตัวเก็บประจุเซรามิค
ตัวเก็บประจุชนิดนี้จะมีขนาดเล็ก ไม่มีขั้ว ค่าความจุต่ํา อยู่ในช่วง พิโก - นาโน (pF - nF ) การระบุค่าของตัว เก็บประจุจะเขียนเป็น code (ศึกษาการอ่านค่าใน
ส่วนล่าง) และไม่ค่อยระบุการใช้ แรงดัน แต่ปกติจะ ใช้แรงดันที่ 50V 100V 1000V ขึ้นอยู่กับขนาด
ของมันหรือสอบถามจาก พนักงานขายได้ ปกติแล้ว ตัวเก็บประจุชนิดนี้จะใช้ในงานกรองความถี่
พบมากในพวกเครื่องรับ-ส่ง และวงจรทั่วไป
ตัวเก็บประจุโพลีเอสเตอร์ (ไมล่า)
ตัวเก็บประจุชนิดนี้จะมีขนาดใหญ่ชึ้นมา เป็นตัว
เก็บประจุแบบไม่มีขั้ว ค่าความจุจะสูงกว่าแบบ เซรามิคขึ้นมา อาจจะอยู่ในช่วง นาโน -10 ไมโคร
(nF - 10uF ) และการใช้งานจะอยู่ที่ 50V , 100V หรือมากกว่า การอ่านค่าจะเขียนอยู่ในรูปแแบบ
code การใช้งานจะคล้ายกับตัวเก็บประจุแบบเซรามิค
ตัวเก็บประจุโพลี
ตัวเก็บประจุชนิดนี้อาจแบ่งได้หลายแบบเช่น โพลีเอสเตอร์ โพลี
คาร์บอนเนต โพลีโพไฟลีน ซึ่งรายละเอียดจะหามาลงในบทความต่อไป ค่าความจุจะอยู่ในช่วง นา
โน - ไมโคร เช่นเดียวกับ ตัวเก็บประจุไมล่าการใช้งานแรงดัน อยู่ในช่วง 50V - 100 V หรือมากกว่า
ซึ่ง จะเขียนติดไว้ที่ตัวเก็บประจุอยู่แล้วและค่าตัวเก็บประจุ จะพิมพ์อยู่บนตัวเก็บประจุเลย โดย
อาจจะเป็นค่า pF หรือ uF ขึ้นอยู่กับค่าความจุในการใช้งานส่วนมากจะใช้งานในระบบเสียง เสียง
เครื่องเสียง ระบบความคุม เป็นต้น
ตัวเก็บประจุแทนทาลั่ม
ตัวเก็บประจุชนิดนี้จะมีทั้งแบบมีขั้ว และไม่มีขั้วมีขนาดเล็ก
ความความจะอยู่ในช่วง 1-100uF ราคาสูงใช้แทนตัวเก็บประจุอิเล็กทรอไลท์
—————————————————————————————–
การอ่านค่าตัวเก็บประจุ และการแปลงค่าของตัวเก็บประจุ
ดังที่กว่าไปแล้วว่าหน่วยของตัวเก็บประจุคือ F (ฟารัส) แต่ตัวเก็บประจุที่ใช้ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์
ส่วนใหญ่ จะมีค่าต่ําๆเป็น u(ไมโคร) n(นาโน) p(พิโก) ซึ่งหน่วยดังกล่าวสามารถแปลงกลับไป
กลับมาได้ เช่น หากไปซื้อตัวเก็บประจุแล้วทาง ร้านบอกค่ามาเป็น n(นาโน) เราก็สามารถแปลงเป็น
p(พิโก) ได้ หรือ การอ่านค่าตัวเก็บประจุบางชนิดซึ่งอาจจะอ่านเป็นค่า n(นาโน) เราก็สามารถแปลง
มาเป็น p(พิโก) หรือ u(ไมโคร) ได้การเทียบหน่วยของตัวเก็บประจุ
1 ฟารัส (1F) = 1,000,000 ไมโครฟารัส (1,000,000uF)
1 ไมโครฟารัส(1uF) = 1,000 นาโนฟารัส(1,000nF)
1 นาโนฟารัส (1nF) = 1,000 พิโกฟารัส(1,000pF)
การอ่านค่าตัวเก็บประจุแบบต่างๆ โดยทั่วไปแล้วตัวเก็บประจุชนิด เซรามิก หรือ ไมล่า จะเขียน
โคด(code) รหัสแสดงการบอกค่าความจุของตัวเก็บประจุ โดยจะแสดงในรูปของจํานวนตัวเลข 3
ตัว เช่น 103 ในการแปลงค่า2หลักแรก(10) จะเป็นค่าคงที่ ส่วนหลักที่ 3(3) จะแทนจํานวนเลข ศูนย์(0)
เท่ากับจํานวนนั้น และหน่วยที่ทําการ อ่านจากรหัสเหล่านี้จะเป็น พิโก (p) เสมอ เช่น
103 จะเขียนเป็น 10,000pF
221 จะเขียนเป็น 220pF
253 จะเขียนเป็น 25,000pF เป็นต้น
จากนั้นเราก็จะเแปลงเป็นหน่วยอื่นได้ตามที่ต้องการ
แต่จะมีวีแปลงจากรหัสเหล่านี้ไปอยู่ในรูปของ ไมโคร (uF) ได้โดยเราจะมองที่หลักสุดท้ายคือ
ลงท้ายด้วย 1 จะเป็น 0.000 เช่น 231 จะเป็น 0.00023uF (230pF)
ลงท้ายด้วย 2 จะเป็น 0.00 เช่น 232 จะเป็น 0.0023uF (2300pF)
ลงท้ายด้วย 3 จะเป็น 0.0 เช่น 233 จะเป็น 0.023uF (23000pF)
ลงท้ายด้วย 4 จะเป็น 0. เช่น 234 จะเป็น 0.23uF(230000pF)
** แต่ในตัวเก็บประจุเซรามิคอาจจะเป็นตัวเลขตัวเดียว เช่น 1 2 แสดงถึงค่า 1pF 2PF ได้เลย


ที่มา : http://www.english.thaiio.com/%E0%B8%95%E0%B8%B1%E0%B8%A7%E0%B9%80%E0%B8%81%E0%B9%87%E0%B8%9A%E0%B8%9B%E0%B8%A3%E0%B8%B0%E0%B8%88%E0%B8%B8%E0%B8%84%E0%B8%B2%E0%B8%9B%E0%B8%B2%E0%B8%8B%E0%B8%B4%E0%B9%80%E0%B8%95%E0%B8%AD%E0%B8%A3/

ฉลองปีใหม่ด้วย 10 เมนูสุขภาพดี แถมต้านชราได้ด้วย

 

เรียบเรียงข้อมูลโดยกระปุกดอทคอม

          ในช่วงเทศกาลแห่งการเฉลิมฉลองปีใหม่ หลายคนคงมีโอกาสได้ไปงานเลี้ยง งานปาร์ตี้ ซึ่งทำให้เราได้รับประทานอาหารในปริมาณมาก แถมส่วนใหญ่ยังเป็นอาหารหนัก ๆ หรืออาหารฝรั่งที่ดูแล้วไม่ค่อยเป็นมิตรกับสุขภาพเลยเสียด้วย เป็นเช่นนี้ไม่ดีแน่ ๆ 

          ดังนั้น นพ.กฤษดา ศิรามพุช ผู้อำนวยการศูนย์เวชศาสตร์อายุรวัฒน์นานาชาติ จึงขอแนะนำสุดยอดอาหารสไตล์อายุรวัฒน์ ต้านชรา ในช่วงเทศกาลปีใหม่ 10 เมนู ให้ทุกคนได้เลือกไปรับประทานกัน จะได้มีสุขภาพดีรับปีใหม่ มาดูกันเลยว่ามีอาหารจานไหนบ้าง

 1. ส้มตำ ไก่ย่าง

          นี่คือสุดยอดของอาหารต้านชรา เพราะในส้มตำมี "มะเขือเทศ" ที่ช่วยป้องกันมะเร็งต่อมลูกหมากและมะเร็งเต้านม แต่ที่เด็ดกว่านั้นก็คือ "มะละกอ" ส่วนผสมหลักของส้มตำที่จะช่วยล้างพิษให้กับลำไส้เล็ก ลำไส้ใหญ่ได้ โดยในมะละกอจะมีน้ำย่อย "ปาเปน" ช่วยล้างทำความสะอาดลำไส้ให้ปลอดคราบโปรตีนเกาะ ทั้งนี้ แนะนำให้ทานส้มตำคู่กับไก่ย่าง เพราะจะได้โปรตีนจากเนื้อไก่ และเนื้อไก่ก็ไม่ทำให้อ้วนด้วยเมื่อเทียบกับ "ข้าวเหนียว" ที่เป็นแป้ง

 2. แกงเขียวหวานไก่

          จัดเป็นอาหารจานทิพย์ที่อุดมไปด้วยวิตามิน เพราะในน้ำแกงนั้นมีทั้งวิตามินเอ ดี อี เค ที่ละลายอยู่ในกะทิ ส่วนเนื้อไก่ก็มีวิตามินบีช่วยบำรุงสมอง แม้แต่พริกที่ปรุงลงไปในแกงชามอร่อยนี้ก็ยังมีกรดแคปไซซิน และเบต้าแคโรทีน ช่วยบำรุงสายตาด้วย

 3. เมี่ยงปลาทู  
          ทราบกันดีกว่า "เนื้อปลาทู" มีทั้งกรดไขมันดี และแอสตาแซนทิน นอกจากนี้ใบคะน้าที่ห่อเมี่ยงยังให้สาร "ซัลโฟราเฟน" ที่เป็นกลุ่มสารต้านมะเร็ง และหากหยิบ "มะเขือเทศราชินี" หั่นเสี้ยวใส่เข้าไปในเมี่ยงด้วยก็จะช่วยให้ผิวพรรณสวยใส

 4.ผัดไทย

          อาหารขึ้นชื่อประจำชาติไทยที่จะช่วยเติมวิตามินซีให้ร่างกายจาก "ถั่วงอก" และส่วนผสมอย่าง "ถั่ว", "เต้าหู้" ยังให้วิตามินอี แคลเซียม และสารพฤกษฮอร์โมนที่เป็นไฟโตเอสโตรเจนป้องกันมะเร็งและลดไขมันได้ด้วย แต่ข้อควรระวังคือ อย่าใส่ "เส้น" มากไป เพราะนี่คือแป้งที่หากทานไปย่อมไม่ดีต่อสุขภาพแน่ ๆ 

 5.ข้าวหอมนิล

          ข้าวสีม่วงเข้มเตะตาอัดแน่นไปด้วย "พฤกษเคมี" ที่มีพลังมากกว่าวิตามินอีกับซีรวมกัน ลองทานข้าวหอมนิลแทนข้าวขาว ทานคู่กับอาหารจานอื่น ๆ เช่น น้ำพริกปลาทูข้าวหอมนิล หรือไข่เจียวร้อน ๆ รับรองอร่อยอย่าบอกใคร

 6.ข้าวตอกน้ำกะทิ 

          เป็นขนมไทยช่วงปีใหม่ที่ถูกลืมไปนาน แต่รู้ไหมว่า "ข้าวตอกน้ำกะทิ" เป็นขนมไทยที่มีคุณค่าทางอายุรวัฒน์มาก เพราะ "ข้าวตอก" มีเส้นใยช่วยลดไขมันและน้ำตาลได้  ส่วนวิตามินข้างในนั้นก็เป็นแอนตี้ออกซิแดนท์ ช่วยป้องกันมะเร็ง และต้านความชราที่คนไม่ต้องการอีกด้วย

 7.ข้าวต้มมัด หรือข้าวเหนียวปิ้งใส่ไส้

          นอกจากอร่อยอิ่มท้องแล้ว เมนูขนมไทยอย่าง "ข้าวต้มมัด" และ "ข้าวเหนียวปิ้งใส่ไส้" ก็เป็นเมนูที่มีประโยชน์ครบเครื่องไปด้วยสารอาหาร 5 หมู่ และยังมีวิตามินเอ บี ซี ส่วน "กล้วย" ที่ใส่ไส้มาก็มีเส้นใยกับสารกลุ่มฟีนอล ชื่อ "กรดเอลลาจิก" ช่วยต้านมะเร็งและเนื้องอกได้ด้วย

 8.ข้าวเหนียวดำน้ำกะทิ 

          เป็นขนมหวานแบบไทย ๆ ที่เป็นแหล่งรวมไฟเบอร์ชั้นสูง เพราะมีส่วนผสมของ เผือก ลำไย ลูกเดือย และธัญพืชอื่น ๆ ที่จะช่วยขัดล้างตั้งแต่หลอดอาหารลงมาถึงลำไส้ใหญ่  ส่วนตัวข้าวเหนียวดำเองก็มีวิตามินอี และธาตุเหล็กสูงมาก รวมถึงธาตุม่วงต้านร่วงโรย (OPCs) ที่เหมาะกับเป็นอาหารต้านชราช่วยให้สุขภาพดีจริง ๆ

 9. ข้าวโพดม่วง  

          หลายคนเห็นสีของ "ข้าวโพดม่วง" แล้ว รู้สึกว่าอาจจะไม่น่าลิ้มลองเช่น "ข้าวโพดเหลือง" แต่รู้ไหมว่า "ข้าวโพดสีม่วง" นี้ เต็มเปี่ยมไปด้วยวิตามินบำรุงตาอย่าง "ลูทีน" กับ "ซีแซนทิน" และยังนำไปประกอบอาหารได้หลายเมนูไม่แพ้ข้าวโพดสีเหลืองเลย หรือถ้าชอบทานของหวานจะนำข้าวโพดม่วงไปราดกะทิกิน ทำเป็นข้าวโพดปิ้ง ข้าวโพดม่วงคลุกก็เข้าท่า

 10. น้ำสมุนไพรแสนชื่นใจ

          ปิดท้ายด้วยเครื่องดื่มเพื่อสุขภาพอย่าง น้ำสมุนไพร ไม่ว่าจะเป็นน้ำอัญชัน, กระเจี๊ยบ, น้ำย่านาง, น้ำใบบัวบก เครื่องดื่มเหล่านี้ถือเป็นน้ำวิตามินชั้นดี จัดเป็นน้ำนางเอกของแท้ อย่างเช่น "น้ำอัญชัน" มีวิตามินสีม่วงที่ช่วยปกป้องผิวและบำรุงตับ 

           ส่วน "น้ำกระเจี๊ยบ" ก็มีวิตามินซี และวิตามินเอ ช่วยบำรุงไตได้ ขณะที่ "น้ำใบย่านาง" กับ "น้ำใบบัวบก" ประกอบด้วยคลอโรฟิลล์ และกลูต้าไทโอน ที่แค่ได้ยินชื่อก็รู้แล้วว่าเป็นสารต้านอนุมูลอิสระชั้นยอด ดื่มบ่อย ๆ นอกจากจะชื่นใจแล้ว ยังช่วยทำให้ดูอ่อนเยาว์ได้อีกนะ

          เห็นแต่ละเมนูแล้วต้องบอกว่าน่ารับประทานทั้งนั้นเลย ทั้งอร่อย ทั้งได้ประโยชน์ต่อสุขภาพอย่างนี้ มาฉลองปีใหม่ด้วยอาหารเพื่อสุขภาพแบบนี้ดีกว่าจ้า